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Tungsteno schermatura Coperta

Tungsteno schermatura Coperta

Tradizionalmente, il piombo è stato il prodotto di scelta per schermatura contro le radiazioni. Coperta tungsteno schermatura ha la capacità di mettere in campo, in forma, che prevede l'attenuazione della radiazione totale di 5-10 persone-Rem / anni di quelle previste dal peso equivalente di coperta di piombo tradizionale. E poiché lega di tungsteno è più sottile e pesa fino al 50 per cento meno di piombo, può essere più indulgente quando i lavoratori svolgono le attività fisiche necessarie in una centrale nucleare.
tungsteno schermatura coperta

Con la stessa densità, tungsteno coperta ha lo spessore simile rispetto coperte piombo. E altamente flessibile e può essere stampato o formato in qualsiasi forma. Spesso un prezzo competitivo per condurre alternative. Sarà progettare e realizzare profili specializzati, lastre e nastro, tra cui quot serratura e, Alta Rad " applicazioni.

Qui, il metodo sopra descritto presenta un effetto di impedire reazione diretta di Ti e WF.sub.6 quando uno strato di adesione è uno strato laminato di film Ti / TiN e schermatura coperta tungsteno viene formato sullo strato di adesione. Una reazione diretta di Ti e WF.sub.6 costituirà un solido substrato che esporrà una espansione del volume e diventare una causa di peeling-off di un livello.

Quando uno strato di adesione per la formazione di una coperta di tungsteno schermatura è formata da sputtering, il substrato viene spesso fissato su un supporto con un supporto o ganci. Alle parti sotto questi ganci, un film SiO.sub.2 che è uno strato isolante tra strato è esposto perché quasi nessuno pellicola si forma sotto i ganci per sputtering. Quando una coperta di tungsteno schermatura cresce sul SiO.sub.2 esposto, la coperta di tungsteno schermatura è facilmente staccata a causa di adesione deboli particelle anti-sono prodotti.

Descrizione di tungsteno coperta

Normalmente, come una spina per il collegamento di strati di cablaggio di cavi multistrato, tungsteno che è un metallo refrattario è stato impiegato. Tuttavia, lega di tungsteno ha una adesione debole SiO.sub.2. Così, per formare tungsteno coperta su un inter-strato di pellicola formata SiO.sub.2 isolante, strato di adesione laminato di titanio pellicola è formato e poi tungsteno coperta si forma su di esso.

Tungsten Coperta Deposizione

Apparecchiatura Tungsten coperta di deposizione comprende un reattore all'interno del quale è evacuatable, un ingresso gas mezzi per introdurre un gas di reazione nel reattore, mezzi per montaggio montaggio di un substrato oggetto da trattare, mezzi penetrazione impedire per impedire la penetrazione di gas, disposto a coprire una porzione periferica di una superficie del substrato dell'oggetto da trattare e avente un diametro interno più piccolo di un diametro del substrato oggetto e un perimetro esterno maggiore di quello del substrato dell'oggetto, e un altro ingresso gas mezzi per introdurre un gas ad un spazio sulla periferia del substrato dell'oggetto coperta dai mezzi penetrazione prevenzione. La crescita di coperta tungsteno su una porzione periferica del SiO.sub.2 substrato è impedito e quindi la produzione di particelle causate da pelatura-off di tungsteno coperta è impedito.

Per prevenire una crescita del tungsteno coperta sulla pellicola SiO.sub.2 esposto, il film SiO.sub.2 esposta intorno il substrato è coperto con un anello per impedire gas di reazione di raggiungere la pellicola esposta SiO.sub. 2.
Nel metodo della tecnica nota per formare tungsteno coperta sopra descritto, quando è consentito un gas di SiH.sub.4 o SiH.sub.2 Cl.sub.2 a scorrere su una superficie di un substrato per formare su di esso una pellicola sottile di silicio , non è fornito su una coperta da un anello per impedire la penetrazione di gas di reazione. Così, uno strato di SiO.sub.2 è esposta su una periferia del substrato.
Nel successivo processo di formazione di pellicola WSi fornendo un flusso di gas WF.sub.6, WF.sub.6 può penetrare in una porzione in cui pellicola SiO.sub.2 è esposta su una periferia del substrato. In questo caso, tungsteno coperta cresce direttamente sul film SiO.sub.2, e si traduce in una produzione di particelle.


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