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tungstênio cobertor blindagem

Tungsten Blindagem Blanket

Tradicionalmente, a liderança tem sido o produto de escolha para proteção contra radiações. Tungsten blindagem cobertor tem a capacidade de campo-fit, que prevê a atenuação da radiação totalizando 5-10 pessoas-REM / ano do que o previsto pelo peso equivalente a manta de chumbo tradicional. E desde que a liga de tungstênio é mais fino e pesa tanto quanto 50 por cento menos do que o chumbo, pode ser mais indulgente quando os trabalhadores estão realizando as atividades físicas necessárias em uma usina de energia nuclear.
tungsten shielding blanket

Com a mesma densidade, cobertor de tungstênio tem a espessura semelhante de cobertores de chumbo. E altamente flexível e pode ser moldado ou formado em qualquer forma. Muitas vezes, a preços competitivos para levar alternativas. Ele irá projetar e fabricar perfis especializados, lajes e fita, incluindo quot bloqueável &; alta Rad " aplicações.

Aqui, o método descrito acima tem um efeito de prevenção da reacção directa de Ti e WF.sub.6 quando uma camada de adesão é uma camada de laminado dos filmes de Ti / TiN e um cobertor de blindagem de tungsténio é formada sobre a camada de adesão. Uma reacção directa de Ti e WF.sub.6 irá formar um substrato sólido, o qual irá exibir uma expansão de volume e tornam-se uma causa de peeling-off de uma camada.

Quando uma camada de adesão para a formação de uma manta de blindagem de tungsténio é formado por pulverização catódica, o substrato é frequentemente fixada a uma montagem utilizando um suporte ou ganchos. No porções sob esses ganchos, um filme SiO.sub.2 que é uma camada isolante inter-layer é exposta porque quase nenhum filme é formado sob os ganchos por pulverização catódica. Quando um cobertor tungstênio blindagem cresce na SiO.sub.2 exposto, o cobertor tungstênio blindagem é facilmente arrancado por causa do anti partículas fraca adesão são produzidos.

Descrição do Tungsten Blanket

Normalmente, como um plug para conexão de camadas de fiação de cabos de múltiplas camadas, tungstênio, que é tem sido empregado um metal refratário. No entanto, a liga de tungstênio tem uma fraca adesão com SiO.sub.2. Assim, para a formação de manta de tungstênio em uma inter-camada de película isolante formada por SiO.sub.2, camada de adesão laminado de Cinema de titânio é formado em primeiro lugar e, em seguida, cobertor de tungstênio é formado sobre a mesma.

Tungsten Blanket Deposition

Aparelho cobertor deposição de tungsténio compreende um reactor no interior do qual é evacuatable, uma entrada de gás de meios para introduzir um gás de reacção, para dentro do reactor, meios para montar a montagem de um substrato objecto a ser tratado, os meios de prevenção de penetração, para prevenir a penetração de gás, disposto para cobrir uma parte periférica de uma superfície do substrato objecto a ser tratado e com um diâmetro interno menor do que um diâmetro do substrato objecto e um perímetro exterior maior do que a do substrato de objecto, uma outra entrada de gás e meios para introduzir um gás com um espaço na periferia do substrato objecto coberto pelo que os meios de prevenção de penetração. Crescimento de manta de tungsténio sobre uma porção periférica SiO.sub.2 de substrato é impedido e, consequentemente, a produção de partículas causadas pela casca-off de manta de tungsténio é impedida.

Para impedir o crescimento de um cobertor de tungsténio sobre o filme SiO.sub.2 exposto, o filme exposto SiO.sub.2 em torno do substrato é coberto com um anel para a prevenção de gás de reacção atinja o filme exposto de SiO.sub. 2.
No método da técnica anterior de formação de manta de tungsténio descrito acima, quando um gás de SiH.sub.4 ou SiH.sub.2 Cl.sub.2 é deixada fluir sobre uma superfície de um substrato para formar nela uma camada fina de silício , que não sejam fornecidos à parte coberta por um anel para impedir a penetração de gás de reacção. Assim, uma camada de SiO.sub.2 está exposta na periferia do substrato.
No processo seguinte de formação de película WSI, fornecendo um fluxo de gás WF.sub.6, WF.sub.6 pode penetrar uma parte onde SiO.sub.2 filme é exposto sobre uma periferia do substrato. Neste caso, o cobertor de tungsténio cresce directamente sobre a película SiO.sub.2, e resulta na produção de partículas.


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