タングステン遮蔽ブランケット

伝統的に、鉛は放射線遮蔽のための選択の製品となっている。タングステン遮蔽ブランケットは、フィールドフィットをするための、5からの伝統的な鉛ブランケットの当量によって提供されるよりも、10人·レムは/年に合計放射線の減衰を提供する能力を持っています。タングステン合金は、薄く、鉛よりも50％少ない重量を量るので、労働者は、原子力発電プラントで必要とされる物理的な活動を行っているとき、それはより寛容であってもよい。

同じ密度で、タングステンブランケットリード毛布より同様の厚さを有している。柔軟性の高い成形または任意の形状に形成することができる。それは、多くの場合、競争的に代替案をリードする価格。これは、エンジニアリングとロック可能なハイラッドアプリケーションなどの特殊なプロファイル、スラブとリボンを、製作します。

ここで、上述の方法は、接着層は、Ti/ TiN膜の積層膜であり、タングステン遮蔽ブランケットは接着層の上に形成されたときTiとのWF 6の直接反応を防止する効果がある。 TiとのWF 6の直接反応は体積膨張を示し、層の剥離の原因となる固体基板を形成する。

タングステン遮蔽ブランケットを形成するための接着層をスパッタ法で形成する場合、基板は、多くの場合、所有者またはフックを使用してマウント上に固定されている。これらのフックの下の部分に、殆ど膜は、スパッタリング法により、フックの下に形成されているため、層間絶縁層が露出しているSiO 2膜である。タングステン遮蔽ブランケットが露出したSiO 2上で成長すると、タングステン遮蔽ブランケットを容易に弱いため、接着防止粒子から剥離されるが生成される。

タングステンブランケットの説明

通常は、高融点金属が用いられているある多層配線の配線層を接続するためのプラグ、タングステンなど。しかし、タングステン合金は、SiO 2の弱い接着力を有する。このように、SiO 2から形成された層間絶縁膜上にタングステンブランケットを形成するために、チタン膜の積層接着層が最初に形成された後、タングステンブランケットが形成されている。

タングステンブランケット堆積

タングステンブランケット堆積装置は排気可能である内部が反応器を含み、ガス入口は、反応器内に反応ガスを導入するための手段と、マウントは、被処理基板の被処理ガスの侵入を防止する侵入防止手段を取り付けるための手段、に配置された処理すべき被処理基板の表面の周縁部を覆い、被処理基板の直径と、対象基板よりも大きな外周、及び他のガス入口よりも小さい内径を有するにガスを導入するための手段侵入防止手段で扱われるオブジェクト基板の周囲の空間。基板の周縁のSiO 2部にブランケットタングステンの成長が防止され、タングステンブランケットの剥離に起因するパーティクルの、したがって製造が防止される。

露出したSiO 2膜上にタングステンブランケットの成長を防止するために、基板の周りの露出したSiO 2膜は、SiO 2を露光したフィルムに到達する反応ガスを防止するためのリングで覆われている。
にSiH 4またはSiH.sub.2 Cl 2をガスがシリコンの薄膜をその上に形成するための基板の表面上に流した場合には、タングステンブランケットは、上記形成する従来の方法では、反応ガスの侵入を防止するためのリングで覆われている部分に供給されていない。このように、SiO 2からなる層は、基板の周縁部に露出している。
WF 6をガスの流れを提供することにより、WSi膜を形成する次の工程では、WF 6をはSiO 2膜は、基板の周縁部に露出している部分に浸透することができる。この場合、タングステンブランケットSiO 2膜上に直接成長し、粒子の産生をもたらす。

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