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Blindage de tungstène Blanket

Blindage de tungstène Blanket

Traditionnellement, le plomb a été le produit de choix pour protection contre les rayonnements. Tungsten blindage couverture a la capacité de champ-ajustement, prévoyant atténuation du rayonnement total de 5 à 10 personnes-REM / année que celles prévues par le poids équivalent de couverture de plomb traditionnelle. Et puisque alliage de tungstène est plus mince et pèse autant que 50 pour cent de moins que le plomb, il peut être plus indulgent lorsque les travailleurs effectuent des activités physiques nécessaires dans une centrale nucléaire.
blindage de tungstène couverture

Avec la même masse volumique, le tungstène couverture a la même épaisseur que les couvertures de plomb. Et très flexible et peut être moulé ou formé dans ne importe quelle forme. Souvent à des prix compétitifs pour mener alternatives. Il concevoir et fabriquer des profils spécialisés, les dalles et le ruban, y compris verrouillable " Haute Rad " applications.

Ici, le procédé décrit ci-dessus a un effet d'empêcher une réaction directe de Ti et WF6 quand une couche d'adhérence est une couche stratifiée de films Ti / TiN et un blindage couverture de tungstène est formée sur la couche d'adhérence. Une réaction directe de Ti et WF6 formera un substrat solide qui exposera une expansion de volume et devenir une cause de décollement d'une couche.

Quand une couche d'adhérence pour la formation d'une couverture de blindage de tungstène est formée par pulvérisation, le substrat est souvent fixée sur un support en utilisant un support ou des crochets. Au titre de ces parties crochets, un film de SiO 2 qui est une couche isolante inter-couche est exposée parce que presque aucun film est formé sous les crochets par pulvérisation cathodique. Lorsque une couverture de blindage de tungstène se développe sur le SiO2 exposée, la couverture de tungstène blindage est facilement détaché en raison des particules anti-faible d'adhérence sont produits.

Description de tungstène Blanket

Normalement, comme une prise pour la connexion des couches de câblage de câblage à couches multiples, du tungstène qui est un métal réfractaire a été employé. Cependant, en alliage de tungstène a une faible adhérence avec SiO2. Ainsi, pour la formation d'une couverture de tungstène sur une couche intermédiaire formée d'un film isolant SiO2, couche d'adhésion de titane laminé de film est formé en premier, puis tungstène couverture est formée sur celui-ci.

Tungsten Blanket dépôt

Appareil de tungstène de dépôt de couverture comprend un réacteur dont l'intérieur est mis sous vide, un moyen d'entrée de gaz pour introduire un gaz de réaction dans le réacteur, de montage des moyens pour monter un substrat d'objet à traiter, des moyens de pénétration de prévention pour empêcher la pénétration de gaz, disposé de manière à couvrir une partie périphérique d'une surface du substrat de l'objet à traiter, et ayant un diamètre intérieur plus petit qu'un diamètre du substrat de l'objet et un périmètre extérieur plus grand que celui du substrat d'objet, et une autre entrée de gaz des moyens pour introduire un gaz à un l'espace à la périphérie du substrat de l'objet visé par le moyen de pénétration de prévention. Croissance de couverture de tungstène sur une portion périphérique du substrat SiO2 est empêchée et donc la production de particules causées par pelage de couverture de tungstène est empêchée.

Pour éviter une croissance de tungstène couverture sur le film de SiO2 exposé, le film SiO2 exposé autour du substrat est recouverte d'une bague pour empêcher le gaz de réaction d'atteindre le film exposé de SiO.sub. 2.
Dans le procédé de l'art antérieur consistant à former une couverture de tungstène décrit ci-dessus, quand un gaz de SiH4 ou SiH.sub.2 Cl2 peut se écouler sur une surface d'un substrat pour former sur celui-ci un film mince de silicium , il ne est pas fourni sur la partie couverte par un anneau pour empêcher la pénétration de gaz de réaction. Ainsi, une couche de SiO 2 est exposée sur une périphérie du substrat.
Dans le procédé suivant de formation d'un film de WSi en fournissant un écoulement de gaz WF6, WF6 peut pénétrer dans une partie où le film SiO2 est exposée sur une périphérie du substrat. Dans ce cas, le tungstène blanchet croît directement sur le film de SiO2, et se traduit par une production de particules.


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