ESTABLISHED 1997
ISO9001 CERTIFICATED
Запрос, Предложение, Комментарий &; Обратная связь
Главная >> Вольфрамового сплава радиационной Щит >>Вольфрам Экранирование Одеяло

Вольфрам Экранирование Одеяло

Вольфрам Экранирование Одеяло

Традиционно, свинец был продуктом выбора для радиационной защиты. Вольфрам экранирование одеяло имеет возможность полевым посадки, обеспечивая ослабление излучения на общую сумму от 5 до 10 человеко-бэр / лет, чем это предусмотрено эквивалентный вес традиционного свинца одеяло. А так как вольфрамового сплава тоньше и весит столько же, сколько 50 процентов меньше, чем свинец, это может быть более снисходительными, когда работники выполняют физические действия, необходимые в атомной электростанции.
вольфрама экранирование одеяло

С той же плотности, вольфрама одеяло имеет аналогичную толщину, чем свинец одеяла. И очень гибким и может быть отлит или формуют в любой форме. Часто по конкурентоспособным ценам, чтобы привести альтернативные варианты. Он будет проектировать и изготавливать специализированные профили, плиты и ленты, в том числе блокируемых приложения "High Rad".

Здесь, способ, описанный выше, имеет эффект предотвращения прямой реакции Ti и WF.sub.6 когда адгезионный слой представляет собой ламинированный слой Ti / TiN пленок и вольфрама экранирования покрытие формируется на адгезионный слой. Непосредственная реакция Ti и WF.sub.6 образует твердую подложку, которая будет демонстрировать увеличение объема и становятся причиной отслаивание слоя.

Когда адгезионный слой для формирования вольфрама экранирования покрывало формируется путем напыления, подложка часто фиксируется на креплении с помощью держателя или крюки. На участках под этими крючками, А пленка SiO 2, который представляет собой межуровневого изолирующий слой подвергается воздействию, так как почти не образуется пленка под прижимы напылением. Когда вольфрамовая экранирование одеяло растет на открытых SiO 2, вольфрам экранирование одеяло легко отслаивается из-за слабой адгезии анти частиц образуются.

Описание вольфрамовых Одеяло

Как правило, в качестве заглушки для подключения проводов слоев разводки для многоуровневого, вольфрама, который является тугоплавкий металл был использован. Тем не менее, вольфрама сплав имеет слабую адгезию с SiO 2. Таким образом, для формирования вольфрама покрывало на межслойного изолирующую пленку, сформированную из SiO 2, ламинированный адгезионный слой титана образуется пленка, а затем вольфрам покрытие формируется на ней.

Вольфрам Одеяло Отложение

Вольфрамовый защитный слой осаждения устройство содержит реактор, внутри которой evacuatable, означает газовый впуск для введения газообразной реакционной смеси в реактор, крепление для монтажа объекта обрабатываемую подложку, средства от проникновения предотвращения для предотвращения проникновения газа, расположенный на охватывают периферийную часть поверхности объекта субстрата, подлежащего лечению, и имеющую внутренний диаметр, меньший, чем диаметр подложки объекта и внешний периметр больше, чем у подложки объекта, а другой вход для газа средство для введения газа к пространство на периферии подложки объекта, подпадающего под средством проникновения предотвращения. Рост офсетного вольфрама на периферийной части SiO 2 подложки предотвращается и, следовательно, производство частиц, вызванных отслаивание вольфрама одеяло предотвращается.

Для того, чтобы предотвратить рост вольфрамовой одеяле на обнаженном SiO 2 пленки, обнаженный SiO 2 пленки вокруг подложки покрыта кольцом для предотвращения реакции газа к экспонированной пленки из SiO 2.
В сравнении с известным способом формирования вольфрама покрывало было описано выше, когда газ из SiH.sub.4 или SiH.sub.2 Сl 2 может протекать на поверхности подложки для формирования на ней тонкую пленку кремния , оно не поставляется на участке, охватываемый кольцом для предотвращения проникновения химически активного газа. Таким образом, слой SiO 2 подвергается воздействию на периферии подложки.
В следующем процессе формирования WSI пленки путем обеспечения потока WF.sub.6 газа, WF.sub.6 может проникнуть в ту часть, где пленка SiO 2 подвергается воздействию на периферии подложки. В этом случае, вольфрама покрытие растет непосредственно на пленке SiO 2, и приводит к образованию частиц.


Если у вас есть какие-либо интерес к вольфрамовой экранирующей одеяло, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами по электронной почте: sales@chinatungsten.com sales@xiamentungsten.com или по телефону: 86 592 5129696.

Ссылки по теме: Вольфрамового сплава радиационной защиты| Вольфрам медицинской радиационной Экранирование| Вольфрам ядерного излучения Экранирование
Address: 3F, No.25 WH Rd., Xiamen Software Park Ⅱ, FJ 361008,China
Phone:+86-592-5129696,+86-592-5129595;Fax:+86-592-5129797;Email:sales@chinatungsten.com sales@xiamentungsten.com
 Certified by MIIT:闽B2-20090025 闽ICP备06012101号-1
版权所有©1997 - 2016 中钨在线